logo BPŁ logo PŁ

Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004




Zapytanie: SEMICOND SCI TECHNOL
Liczba odnalezionych rekordów: 6



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetl/ukryj etykiety | Wersja do druku | | | Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu: 0000021683
Autorzy: Dawei Xu, Cunzhu Tong, Soon Fatt Yoon, Weijun Fan, Dao Hua Zhang, Michał Wasiak, Łukasz Piskorski, Krzysztof Gutowski, Robert Piotr Sarzała, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Room-temperature continuous-wave operation of the In(Ga)As/GaAs quantum-dot VCSELs for the 1.3 μm optical-fibre communication.
Czasopismo: Semicond. Sci. Technol. 2009 Vol.24 nr 5 s.[1-5]
Lokalizacja dokumentu: P-3866
p-ISSN: 0268-1242

Uwagi wewnętrzne: Artykuł znajduje się na stronach oznaczonych 055003. Compendex. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: GBR
Kod współpracy międzynarodowej: SGP
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
Punktacja MNiSW: 32.000
2/6
Nr opisu: 0000013214
Autorzy: Robert Piotr Sarzała.
Tytuł: Optimization of oxide-confined vertical-cavity surface-emitting diode lasers.
Czasopismo: Semicond. Sci. Technol. 2007 Vol.22 nr 2 s.113-118
p-ISSN: 0268-1242

Uwagi wewnętrzne: DIG_013214. IoP w dostępie testowym od 24.09. do 7.11.2008. Compendex. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: GBR
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
3/6
Nr opisu: 0000013312
Autorzy: Łukasz Piskorski, Robert Piotr Sarzała, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Self-consistent model of 650 nm GaInP/AlGaInP quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers.
Czasopismo: Semicond. Sci. Technol. 2007 Vol.22 nr 6 s.593-600
p-ISSN: 0268-1242

Uwagi wewnętrzne: DIG_013312. IoP w dostępie testowym od 24.09. do 7.11.2008. Scopus. Compendex.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: GBR
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
4/6
Nr opisu: 0000001136
Autorzy: Artur Tomczyk, Robert Piotr Sarzała, Tomasz Czyszanowski, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Fully self-consistent threshold model of one-dimensional arrays of edge-emitting nitride diode lasers.
Czasopismo: Semicond. Sci. Technol. 2004 Vol.19 s.997-1004
p-ISSN: 0268-1242

Uwagi wewnętrzne: DIG_001136. IoP w dostępie testowym od 24.09. do 7.11.2008.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 2
Kraj: GBR
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
5/6
Nr opisu: 0000001133
Autorzy: Robert Piotr Sarzała.
Tytuł: A new approach to improve mode selectivity of higher output oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers.
Czasopismo: Semicond. Sci. Technol. 2004 Vol.19 s.1122-1124
p-ISSN: 0268-1242

Uwagi wewnętrzne: DIG_001133. IoP w dostępie testowym od 24.09. do 7.11.2008.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 2
Kraj: GBR
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
6/6
Nr opisu: 0000000627
Autorzy: Włodzimierz Nakwaski, Michał Wasiak, Paweł Maćkowiak, W. Bedyk, Marek Osiński, A. Passaseo, V. Tasco, M.T. Todaro, M. De Vittorio, R. Joray, J.X. Chen, R.P. Stanley, Andrea Fiore.
Tytuł: Oxidation kinetics of AlAs and (AlGa)As layers in GaAs-based diode laser structures. Comparative analysis of available experimental data.
Czasopismo: Semicond. Sci. Technol. 2004 Vol.19 nr 3 s.333-341
p-ISSN: 0268-1242

Uwagi wewnętrzne: DIG_000627. IoP w dostępie testowym od 24.09. do 7.11.2008.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: GBR
Kod współpracy międzynarodowej: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
  Wyświetl ponownie stosując format:
Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ