Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004

1/5
Nr opisu: 0000043960
Autorzy: P. Perlin, S. Stańczyk, A. Kafar, A. Bojarska, Ł. Marona, R. Czernecki, G. Targowski, G. Muzioł, H. Turski, E. Grzanka, S. Grzanka, P. Wiśniewski, S. Najda, Tomasz Czyszanowski, M. Leszczyński, C. Skierbiszewski, R. Kucharski, T. Suski.
Tytuł: Nitride-based laser diodes and superluminescent diodes.
Czasopismo: Photonics Lett. Pol. 2014 Vol.6 nr 1 s.32-34
p-ISSN: 2080-2242
Uwagi wewnętrzne: DIG_043960. Czasopismo typu open-access. Compendex. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: POL
Język: eng
Punktacja MNiSW: 10.000
Praca afiliowana przez PŁ
Adres url:
DOI:
2/5
Nr opisu: 0000040942
Autorzy: S. Stańczyk, Tomasz Czyszanowski, A. Kafar, J. Goss, S. Grzanka, E. Grzanka, R. Czernecki, A. Bojarska, G. Targowski, M. Leszczyński, T. Suski, R. Kucharski, P. Perlin.
Tytuł: Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes.
Czasopismo: Appl. Phys. Lett. 2013 Vol.103 nr 26 s.261107-1-261107-4
p-ISSN: 0003-6951
Uwagi wewnętrzne: DIG_040942. AIP. Compendex. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: USA
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 3.515
Punktacja MNiSW: 40.000
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
3/5
Nr opisu: 0000040083
Autorzy: S. Stańczyk, Tomasz Czyszanowski, A. Kafar, R. Czernecki, G. Targowski, M. Leszczyński, T. Suski, R. Kucharski, P. Perlin.
Tytuł: InGaN laser diodes with reduced AIGaN cladding thickness fabricated on GaN plasmonic substrate.
Czasopismo: Appl. Phys. Lett. 2013 Vol.102 s.151102-1-151102-5
p-ISSN: 0003-6951
Uwagi wewnętrzne: DIG_040083. AIP.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: USA
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 3.515
Punktacja MNiSW: 40.000
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
4/5
Nr opisu: 0000039589
Autorzy: S. Stańczyk, Tomasz Czyszanowski, R. Kucharski, Anna Kafar, T. Suski, L. Marona, G. Targowski, M. Boćkowski, Piotr Perlin.
Tytuł: Thin AIGaN cladding, blue-violet InGaN laser diode with plasmonic GaN substrate.
Czasopismo: Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2013 Vol.8625 art. no. 862513
p-ISSN: 0277-786X
Uwagi wewnętrzne: DIG_039589. SPIE. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: USA
Język: eng
5/5
Nr opisu: 0000042287
Autorzy: S. Stańczyk, Tomasz Czyszanowski, Anna Kafar, E. Grzanka, G. Targowski, Marcin Leszczyński, T. Suski, Piotr Perlin.
Tytuł: InGaN GRINSCH laser diodes.
Cytata wydawnicza: V Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers.
Adres wydawniczy: Kraków, 2013
Szczegóły: s.23
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
Uwagi wewnętrzne: DIG_042287
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
Wyświetl ponownie stosując format:

Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ