Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004

1/11
Nr opisu: 0000028819
Tytuł: IX Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały specjalnej sesji konferencji poświęconej Projektowi Badawczemu Zamawianemu PBZ-MEiN-6/2/2006 "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy w wysokich temperatur". Darłowo, 30.05-02.06 2010.
Odpowiedzialni: Red. Sochacki Mariusz.
Adres wydawniczy: Warszawa : [B.w.], 2010
Szczegóły: 392 s.
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
2/11
Nr opisu: 0000018420
Autorzy: Mariusz Sochacki, Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik, Jan Szmidt.
Tytuł: Power devices in Polish National Silicon Carbide Program.
Cytata wydawnicza: EPE-PEMC 2008. 13th International Power Electronics and Motion Control Conference. [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.], 2008
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) s.2483-2487
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Autom.
Uwagi wewnętrzne: DIG_018420. Scopus.
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
3/11
Nr opisu: 0000021258
Autorzy: Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik, Jan Szmidt, Mariusz Sochacki.
Tytuł: National Polish Silicon Carbide Project.
Cytata wydawnicza: EXMATEC'08. 9th International Workshop Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies.
Adres wydawniczy: Łódź, 2008
Szczegóły: s.163-64
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_021258
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
4/11
Nr opisu: 0000021329
Tytuł: VII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE'08. Materiały specjalnej sesji konferencji poświęconej Projektowi Badawczemu Zamawianemu PBZ-MEiN-6/2/2006 "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur". Darłowo Wschodnie, 02-04.06.2008.
Odpowiedzialni: Ed. Sochacki Mariusz, Trzaskowska Małgorzata.
Adres wydawniczy: Warszawa : [B.w.], 2008
Szczegóły: 301 s.30 cm
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelectron.
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
5/11
Nr opisu: 0000005639
Autorzy: Mariusz Sochacki, Paweł Śniecikowski, Jan Szmidt, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Wytwarzanie i charakteryzacja złącza p⁺-n-n⁺ na podłożu 4H-SiC.
Cytata wydawnicza: Czwarta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2005
Szczegóły: s.609
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_005639
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
6/11
Nr opisu: 0000003553
Autorzy: Mariusz Sochacki, Radosław Łukasiewicz, Witold Rzodkiewicz, Aleksander Werbowy, Jan Szmidt, Elżbieta Staryga.
Tytuł: Silicon dioxide and silicon nitride as a passivation and edge termination for 4H-SiC Schottky diodes.
Czasopismo: Diamond and Related Materials 2005 Vol.14 s.1138-1141
p-ISSN: 0925-9635
Uwagi wewnętrzne: DIG_003553. Science Direct.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: NLD
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
7/11
Nr opisu: 0000006339
Autorzy: Mariusz Sochacki, Paweł Śniecikowski, Jan Szmidt, Paweł Śniecikowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Low energy boron implantation in 4H-SiC.
Cytata wydawnicza: International Conference 4-th Nanodiamond and Related Materials jointly with 6-th Diamond and Related Films. Abstract book.
Adres wydawniczy: Łódź, 2005
Szczegóły: s.143
Lokalizacja dokumentu: 100105
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
8/11
Nr opisu: 0000005670
Autorzy: Mariusz Sochacki, Jan Szmidt, Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer.
Tytuł: Liody Sottki Ni/4H-SiC s SiO_xN_y ohrannymi sloami.
Cytata wydawnicza: Karbid Kremnia i Rodstvennye Materialy. Sbornik Materialov V Mezdunarodnogo Seminara ISSCRM-2004.
Adres wydawniczy: Velikij Novgorod, 2005
Szczegóły: s.119-121
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_005670
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: rus
9/11
Nr opisu: 0000005669
Autorzy: Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer, Mariusz Sochacki.
Tytuł: Sravnitel'nye issledovania omiceskich kontaktov k 4H-SiC s pomosc'u TLM i STLM metodov.
Cytata wydawnicza: Karbid Kremnia i Rodstvennye Materialy. Sbornik Materialov V Mezdunarodnogo Seminara ISSCRM-2004.
Adres wydawniczy: Velikij Novgorod, 2005
Szczegóły: s.114-116
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_005669
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: rus
10/11
Nr opisu: 0000001628
Autorzy: Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer, Mariusz Sochacki.
Tytuł: Characterisation of ohmic contacts to 4H-SiC structure made by linear transfer length and circular transfer length methods.
Cytata wydawnicza: ISSCRM-2004. V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. Abstracts.
Adres wydawniczy: Velikiy Novgorod, 2004
Szczegóły: s.107-108
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_001628
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: eng
11/11
Nr opisu: 0000001630
Autorzy: Mariusz Sochacki, Jan Szmidt, Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer.
Tytuł: Ni/4H-SiC Schottky diodes with SiO_xN_y terminating layers.
Cytata wydawnicza: ISSCRM-2004. V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. Abstracts.
Adres wydawniczy: Velikiy Novgorod, 2004
Szczegóły: s.111-112
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_001630
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: eng
Wyświetl ponownie stosując format:

Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ