logo BPŁ logo PŁ

Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004




Zapytanie: KUBIAK JAKUB
Liczba odnalezionych rekordów: 10



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetl/ukryj etykiety | Wersja do druku | | | Nowe wyszukiwanie
1/10
Nr opisu: 0000014435
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak, Artur Kalinowski.
Tytuł: Doping by high temperature diffusion processes in SiC.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2007. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics.
Adres wydawniczy: Łódź, 2007
Szczegóły: s.215-219
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_014435
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
2/10
Nr opisu: 0000014437
Autorzy: Zbigniew Lisik, Jan Szmidt, Marek Tłaczała, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Technology of P-i-N diode production on SiC substrate.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2007. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics.
Adres wydawniczy: Łódź, 2007
Szczegóły: s.247-248
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_014437
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
3/10
Nr opisu: 0000014459
Autorzy: Zbigniew Lisik, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Procesy wygrzewania wysokotemperaturowego SiC.
Cytata wydawnicza: Szósta Krajowa Konferencja Elektroniki. T.2
Adres wydawniczy: Koszalin, 2007
Szczegóły: s.567
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny CD-ROM
Uwagi wewnętrzne: DIG_014459
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
4/10
Nr opisu: 0000010391
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Charakteryzacja kontaktów omowych na strukturach 4H-SiC metodami LTM i CTLM.
Cytata wydawnicza: Piąta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2006
Szczegóły: s.347-350
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_010391
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
5/10
Nr opisu: 0000010397
Autorzy: Maciej Sibiński, Jakub Kubiak.
Tytuł: Ogniwa słoneczne na podłożach elastycznych.
Cytata wydawnicza: Piąta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2006
Szczegóły: s.459-464
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_010397
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
6/10
Nr opisu: 0000010396
Autorzy: Grzegorz Tosik, Filip Abramowicz, Zbigniew Lisik, Jakub Kubiak.
Tytuł: Przesunięcie czasowe sygnału zegarowego w optycznym systemie CDN.
Cytata wydawnicza: Piąta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2006
Szczegóły: s.453-458
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_010396
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
7/10
Nr opisu: 0000010392
Autorzy: Anna Kasprzak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Technologie wykonania elementów reaktancyjnych.
Cytata wydawnicza: Piąta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2006
Szczegóły: s.351-356
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_010392
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
8/10
Nr opisu: 0000005631
Autorzy: Artur Kalinowski, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak, Krzysztof Polański.
Tytuł: Procesy wyskotemperaturowe w węgliku krzemu.
Cytata wydawnicza: Czwarta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2005
Szczegóły: s.349-353
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_005631
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
9/10
Nr opisu: 0000006153
Autorzy: Andrzej Kubiak, Krzysztof Polański, Jakub Kubiak, Artur Kalinowski.
Tytuł: High temperature processes in silicon carbide.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2005. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: Łódź, 2005
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) E:/pdf/SP_10.pdf s.1-5
Lokalizacja dokumentu: 99095
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
10/10
Nr opisu: 0000005612
Autorzy: Artur Kalinowski, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Procesy wysokotemperaturowe w węgliku krzemu.
Tytuł równoległy: High-temperature processes in silicon carbide.
Czasopismo: Pr. Nauk. Inst. Elektron. Politech. Łódz. 2005 nr 10 s.23-34, sum.
Lokalizacja dokumentu: P-3687
p-ISSN: brak

Uwagi wewnętrzne: ISBN 83-915220-0-8
Zasięg czasopisma: K
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
  Wyświetl ponownie stosując format:
Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ