logo BPŁ logo PŁ

Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004




Zapytanie: KAFAR ANNA
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetl/ukryj etykiety | Wersja do druku | | | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000045205
Autorzy: Tomasz Czyszanowski, Szymon Stańczyk, Anna Kafar, Piotr Perlin.
Tytuł: Optical optimization of InGaN/GaN edge-emitting lasers with reduced AlGaN cladding thickness.
Czasopismo: Japanese J. Appl. Phys. 2014 Vol.53 nr 3 s.[1-2]
p-ISSN: 0021-4922
e-ISSN: 1347-4065

Uwagi wewnętrzne: IoP. Scopus. Art. ozn. jako: 032701. Brak skrótu czasopisma w bazie ISSN. Compendex.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: GBR
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.127
Punktacja MNiSW: 20.000
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
2/4
Nr opisu: 0000039589
Autorzy: S. Stańczyk, Tomasz Czyszanowski, R. Kucharski, Anna Kafar, T. Suski, L. Marona, G. Targowski, M. Boćkowski, Piotr Perlin.
Tytuł: Thin AIGaN cladding, blue-violet InGaN laser diode with plasmonic GaN substrate.
Czasopismo: Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2013 Vol.8625 art. no. 862513
p-ISSN: 0277-786X

Uwagi wewnętrzne: DIG_039589. SPIE. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: USA
Język: eng
3/4
Nr opisu: 0000042287
Autorzy: S. Stańczyk, Tomasz Czyszanowski, Anna Kafar, E. Grzanka, G. Targowski, Marcin Leszczyński, T. Suski, Piotr Perlin.
Tytuł: InGaN GRINSCH laser diodes.
Cytata wydawnicza: V Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers.
Adres wydawniczy: Kraków, 2013
Szczegóły: s.23
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
Uwagi wewnętrzne: DIG_042287
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
4/4
Nr opisu: 0000035263
Autorzy: Piotr Perlin, Tomasz Czyszanowski, Łucja Marona, Szymon Grzanka, Anna Kafar, Szymon Stańczyk, Tadek Suski, Mike Leszczyński, Michał Boćkowski, Grzegorz Muzioł, Robert Piotr Sarzała.
Tytuł: Highly doped GaN: a material for plasmonic claddings for blue/green InGaN laser diodes.
Cytata wydawnicza: Gallium Nitride Materials and Devices VII. Proceedings of SPIE. Vol.8262.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2012
Szczegóły: s.[1-8] art. nr 826216
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
Uwagi wewnętrzne: DIG_035263
Zasięg publikacji/pracy: M
Kraj: USA
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
  Wyświetl ponownie stosując format:
Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ