logo BPŁ logo PŁ

Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004




Zapytanie: DONNARUMMA GESUALDO
Liczba odnalezionych rekordów: 17



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetl/ukryj etykiety | Wersja do druku | | | Nowe wyszukiwanie
1/17
Nr opisu: 0000038828
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Vassil Palankovski, Siegfried Selberherr, Janusz Woźny, Andrzej Kubiak, Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Influence of bandgap narrowing and carrier lifetimes on the forward current-voltage characteristics of a 4H-SiC p-i-n diode.
Cytata wydawnicza: SISPAD 2012. 17th International Conference of Simulation of Semiconductor Processes and Devices. [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.], 2012
Szczegóły: s.125-128Tryb dostępu: http://in4.iue.tuwien.ac.at/pdfs/sispad2012/7-2.pdf [dostęp 28.03.2013].
Uwagi wewnętrzne: DIG_038828
Zasięg publikacji/pracy: M
Kraj: USA
Kod współpracy międzynarodowej: AUT
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
2/17
Nr opisu: 0000030447
Autorzy: Janusz Woźny, Gesualdo Donnarumma, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Hall mobility in 4H-SiC, measurements and Monte Carlo simulation.
Tytuł równoległy: Ruchliwość Halla w węgliku krzemu politypii 4H, pomiary i symulacje Monte Carlo.
Czasopismo: Elektronika 2011 R.52 nr 3 s.23-25, streszcz.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Bibl. Politech. Łódz.
p-ISSN: 0033-2089

Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
Punktacja MNiSW: 6.000
Praca afiliowana przez PŁ
3/17
Nr opisu: 0000033880
Tytuł: MicroTherm'2011. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. Łódź, 28th June - 1st July 2011 [Dokument elektroniczny].. Official Proceedings of Microtherm.
Odpowiedzialni: Ed. Podgórski Jacek, Raj Ewa, Donnarumma Gesualdo.
Adres wydawniczy: Łódź : Tech. Univ. of Łódź, 2011
Szczegóły: USB, 376 s.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: ISBN 978-83-932197-0-4
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
4/17
Nr opisu: 0000029937
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Numerical solution of the anisotropic Poisson equation for SiC semiconductors device simulation.
Czasopismo: Mater. Sci. Eng. B 2011 Vol.176 nr 4 s.293-296
p-ISSN: 0921-5107

Uwagi wewnętrzne: DIG_029937. Elsevier. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.518
Punktacja MNiSW: 35.000
Praca afiliowana przez PŁ
5/17
Nr opisu: 0000033887
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Jacek Podgórski, Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik.
Tytuł: ELTER-SiC: a new electrothermal simulator for investigating SiC device structures.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2011. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: Łódź, 2011
Szczegóły: USB s.83-88
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_033887
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
6/17
Nr opisu: 0000028758
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Jacek Podgórski, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Numerical simulation of wide band gap materials.
Cytata wydawnicza: 5th Wide Bandgap Materials -Progress in Synthesis and Applications. 7th Diamond and Ralated Films. 2nd International Workshop on Science and Applications of Nanoscale Diamond Materials. Abstract Proceedings.
Adres wydawniczy: Warszawa, 2010
Szczegóły: s.99-101
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028758
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
7/17
Nr opisu: 0000028825
Autorzy: Janusz Woźny, Gesualdo Donnarumma, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Hall mobility in 4H-SiC, measurements and Monte Carlo simulation.
Cytata wydawnicza: ELTE 2010. 10th Electron Technology Conference ELTE and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference. Book of abstracts.
Adres wydawniczy: Wrocław, 2010
Szczegóły: s.21
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028825
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
8/17
Nr opisu: 0000028047
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Anisotropic modeling of silicon carbide devices.
Cytata wydawnicza: ISPS'10. 10th International Seminar on Power Semiconductors. Proceedings.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2010
Szczegóły: s.223-226
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Mikroelektron. i Tech. Inform.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028047
Półrocze: 2
Kraj: CZE
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
9/17
Nr opisu: 0000028040
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Modeling of metal-semiconductor interface and anisotropic Drift-Diffusion model for simulating 4H-SiC Schottky diode and MESFET devices.
Cytata wydawnicza: OWD 2010. XII International PhD Workshop.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2010
Szczegóły: s.157-160
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Mikroelektron. i Tech. Inform.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028040
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
10/17
Nr opisu: 0000025541
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Anisotropic drift diffusion model for 4H-, 6H-SiC devices simulation.
Cytata wydawnicza: ISDRS 2009. International Semiconductor Device Research Symposium.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2009
Uwagi wewnętrzne: DIG_025540. IEEE. Art. oznaczony nr 5378258. Scopus.
Półrocze: 2
Kraj: USA
Język: eng
11/17
Nr opisu: 0000022720
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Monte Carlo simulation of bulk semiconductors for accurate calculation of drift velocity as a parameter for drift-diffusion, hydrodynamic models.
Czasopismo: Mater. Sci. Eng. B 2009 Vol.165 nr 1-2 s.47-49
p-ISSN: 0921-5107

Uwagi wewnętrzne: DIG_022720. Science Direct. Compendex. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 2
Kraj: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.756
Punktacja MNiSW: 27.000
12/17
Nr opisu: 0000025211
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Numerical solution of the anisotropic Poisson equation for SiC semiconductors device simulation.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2009. VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.] : [B.w.], 2009
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) s.151-158
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Tech. Ciepl. i Chłod.
Uwagi wewnętrzne: DIG_025211
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
13/17
Nr opisu: 0000021259
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Monte Carlo simulation of bulk semiconductors for accurate calculation of drift velocity as a parameter for drift-diffusion hydrodynamic models.
Cytata wydawnicza: EXMATEC'08. 9th International Workshop Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies.
Adres wydawniczy: Łódź, 2008
Szczegóły: s.76-77
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_021259
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
14/17
Nr opisu: 0000014629
Autorzy: Janusz Woźny, Gesualdo Donnarumma, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Monte Carlo modeling of the hall effect in 4H-SiC.
Cytata wydawnicza: ELTE 2007. IX Electron Technology Conference. Book of abstracts.
Adres wydawniczy: Kraków, 2007
Szczegóły: s.75
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_014629
Półrocze: 2
Kraj: POL
Kod współpracy międzynarodowej: ITA
Język: eng
15/17
Nr opisu: 0000014477
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Program "Bulk Simulator" - modelowanie Monte Carlo materiałów półprzewodnikowych.
Cytata wydawnicza: Komputerowe Wspomaganie Badań Naukowych. [Materiały XIV Krajowej Konferencji KOWBAN'2007].
Adres wydawniczy: Wrocław, 2007
Szczegóły: s.117-120
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_014477
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
16/17
Nr opisu: 0000014880
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Usage of the Monte Carlo method for evaluation of the macroscopic parameters in semiconductor materials (Si,GaAs,4H-SiC).
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2007. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.], 2007
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) s.85-92
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_014880
Półrocze: 1
Kraj: POL
Kod współpracy międzynarodowej: ITA
Język: eng
17/17
Nr opisu: 0000014453
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Zbigniew Lisik, Janusz Woźny.
Tytuł: Wykorzystanie symulacji Monte Carlo do wyznaczania parametrów makroskopowych opisujących materiały półprzewodnikowe (Si,GaAs,4H-SiC).
Cytata wydawnicza: Szósta Krajowa Konferencja Elektroniki. T.2
Adres wydawniczy: Koszalin, 2007
Szczegóły: s.327-332sum.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny CD-ROM
Uwagi wewnętrzne: DIG_014453
Półrocze: 1
Kraj: POL
Kod współpracy międzynarodowej: ITA
Język: pol
  Wyświetl ponownie stosując format:
Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ