Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004

1/14
Nr opisu: 0000033321
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Typ patentu: Patent
Kraj opatentowania: Polska
Numer patentu: 210401
Międzynarodowa klasyfikacja patentowa Int Cl./sup: Int.Cl. H01S 5/00 (2006.01)Int.Cl. H01S 5/183 (2006.01)
Tytuł patentu: Laser półprzewodnikowy o emisji powierzchniowej, z pionową wnęką optyczną.
Właściciel, kraj: Politechnika Łódzka. Polska
Data opublikowania: Opubl. 31.01.2012
Kraj: POL
Język: pol
2/14
Nr opisu: 0000026297
Autorzy: Robert Piotr Sarzała, Paweł Maćkowiak, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Typ patentu: Patent
Kraj opatentowania: Polska
Numer patentu: 205078
Międzynarodowa klasyfikacja patentowa Int Cl./sup: Int. Cl. H01S 5/183 (2006.01)Int. Cl. H01S 5/34 (2006.01)Int. Cl. H01S 5/125 (2006.01)Int. Cl. H01S 5/00 (2006.01)
Tytuł patentu: Laser półprzewodnikowy o emisji powierzchniowej, z pionową wnęką optyczną.
Właściciel, kraj: Politechnika Łódzka. Polska
Data opublikowania: Opubl. 31.03.2010
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
3/14
Nr opisu: 0000022007
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Włodzimierz Nakwaski, Robert Piotr Sarzała.
Typ patentu: Patent
Kraj opatentowania: Polska
Numer patentu: 201042
Międzynarodowa klasyfikacja patentowa Int Cl./sup: Int. Cl. H01S 5/183 (2006.01)
Tytuł patentu: Laser półprzewodnikowy o emisji powierzchniowej z pionową wnęką optyczną.
Właściciel, kraj: Politechnika Łódzka. Polska
Data opublikowania: Opubl. 27.02.2009
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
4/14
Nr opisu: 0000023192
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Typ patentu: Patent
Kraj opatentowania: Polska
Numer patentu: 203900
Międzynarodowa klasyfikacja patentowa Int Cl./sup: Int. Cl. H01S 5/183 (2006.01)Int. Cl. H01S 5/125 (2006.01)Int. Cl. H01S 5/34 (2006.01)
Tytuł patentu: Laser półprzewodnikowy o emisji powierzchniowej z pionową wnęką optyczną.
Właściciel, kraj: Politechnika Łódzka. Polska
Data opublikowania: Opubl. 30.11.2009
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
5/14
Nr opisu: 0000018772
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Nitride vertical-cavity surface-emitting diode lasers: problems to be solved.
Cytata wydawnicza: Semiconductor Research Trends.
Adres wydawniczy: New York, 2007
Szczegóły: s.1-47
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
Uwagi wewnętrzne: DIG_018772
Półrocze: 2
Kraj: USA
Język: eng
6/14
Nr opisu: 0000007487
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Nitride vertical-cavity surface-emitting diode lasers: problems to be solved.
Cytata wydawnicza: New Developments in Semiconductor Research.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2005
Szczegóły: [s.1-47]
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
Uwagi wewnętrzne: DIG_007487
Półrocze: 2
Kraj: USA
Język: eng
7/14
Nr opisu: 0000001313
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: A nitride VCSEL with the radial built-in waveguiding mechanism.
Cytata wydawnicza: 4th International Conference on Solid State Crystals: Material Science and Applications. 7th Polish Conference on Crystal Growth. Scientific programme and book of abstracts.
Adres wydawniczy: [B.m.] : [B.w.], 2004
Szczegóły: s.1
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
Uwagi wewnętrzne: DIG_001313
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
8/14
Nr opisu: 0000000626
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Cascade nitride VCSEL designs with tunnel junctions.
Czasopismo: Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. 2004 Vol.78 nr 3 s.315-322
p-ISSN: 0947-8396
Uwagi wewnętrzne: DIG_000626. Science Direct.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: USA
Kod współpracy międzynarodowej: USA
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
9/14
Nr opisu: 0000001284
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: A nitride VCSEL designed for higher-order transverse optical modes.
Cytata wydawnicza: ELTE 2004. VIII Electron Technology Conference. Book of extended abstracts.
Adres wydawniczy: Łódź, 2004
Szczegóły: s.328-329
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_001284
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
10/14
Nr opisu: 0000004501
Autorzy: Robert Piotr Sarzała, Paweł Maćkowiak, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Optimisation of the GaAs-based (GaIn)(NAs)/GaAs vertical-cavity surface-emitting diode lasers for the long-wavelength optical-fibre communication systems.
Cytata wydawnicza: European Materials Research Society 2004 Meeting, Symposium M: Dilute Nitride and Rekated Mismatched Semiconductor Alloys.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2004
Szczegóły: s.[1]
Półrocze: 1
Kraj: FRA
Język: eng
11/14
Nr opisu: 0000000343
Autorzy: Włodzimierz Nakwaski, Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Michał Wasiak.
Tytuł: Some expected extraordinary behaviours of nitride vertical-cavity surface-emitting lasers following from special features of nitride materials.
Czasopismo: Opt. Appl. 2004 Vol.34 nr 1 s.5-15
Lokalizacja dokumentu: P-2147
p-ISSN: 0078-5466
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
12/14
Nr opisu: 0000001135
Autorzy: Robert Piotr Sarzała, Piotr Mendla, Michał Wasiak, Paweł Maćkowiak, Maciej Bugajski, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: Comprehensive self-consistent three-dimensional simulation of an operation of the GaAs-based oxide-confined 1.3-μm quantum-dot (InGa)As/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers.
Czasopismo: Opt. Quantum Electron. 2004 Vol.36 s.331-347
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
p-ISSN: 0306-8919
Uwagi wewnętrzne: DIG_001135
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 2
Kraj: GBR
Kod współpracy międzynarodowej: USA
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
13/14
Nr opisu: 0000001110
Autorzy: Paweł Maćkowiak, Robert Piotr Sarzała, Michał Wasiak, Włodzimierz Nakwaski.
Tytuł: An attempt to design room-temperature-operated nitride diode VCSELs.
Czasopismo: Opto-Electron. Rev. 2004 Vol.12 nr 4 s.411-416
forma: odb.
Uwagi:4th International Conference on Solid State Crystals.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Fiz.
p-ISSN: 1230-3402
Uwagi wewnętrzne: DIG_001110
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
14/14
Nr opisu: 0000000627
Autorzy: Włodzimierz Nakwaski, Michał Wasiak, Paweł Maćkowiak, W. Bedyk, Marek Osiński, A. Passaseo, V. Tasco, M.T. Todaro, M. De Vittorio, R. Joray, J.X. Chen, R.P. Stanley, Andrea Fiore.
Tytuł: Oxidation kinetics of AlAs and (AlGa)As layers in GaAs-based diode laser structures. Comparative analysis of available experimental data.
Czasopismo: Semicond. Sci. Technol. 2004 Vol.19 nr 3 s.333-341
p-ISSN: 0268-1242
Uwagi wewnętrzne: DIG_000627. IoP w dostępie testowym od 24.09. do 7.11.2008.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: GBR
Kod współpracy międzynarodowej: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
Wyświetl ponownie stosując format:

Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ