logo BPŁ logo PŁ

Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004



Zapytanie: KUBIAK ANDRZEJ
Liczba odnalezionych rekordów: 53



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetl/ukryj etykiety | Wersja do druku | | | Nowe wyszukiwanie
1/53
Nr opisu: 0000045811
Autorzy: Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Effects of annealing temperature on the structure and electrical properties of tungsten contacts to n-type silicon carbide.
Czasopismo: Mater. Sci. Eng. B 2015 Vol.191 s.57-65
p-ISSN: 0921-5107
e-ISSN: 1873-4944
Uwagi wewnętrzne: DIG_045811. ScienceDirect. Compendex. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
2/53
Nr opisu: 0000039539
Autorzy: Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik, Jacek Podgórski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: SVMOS - nowy tranzystor unipolarny mocy.
Cytata wydawnicza: ELTE'2013. XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa.
Adres wydawniczy: Warszawa, 2013
Szczegóły: s.[1] MN/p-46
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_039539
Zasięg publikacji/pracy: K
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
Praca afiliowana przez PŁ
3/53
Nr opisu: 0000042196
Autorzy: Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik, Jacek Podgórski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: SVMOS - nowy tranzystor unipolarny mocy.
Cytata wydawnicza: ELTE'2013. XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2013
Szczegóły: s.211-212
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_042196
Zasięg publikacji/pracy: K
Kraj: POL
Język: pol
Praca afiliowana przez PŁ
4/53
Nr opisu: 0000039538
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jacek Rogowski, Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Wpływ temperatury wygrzewania na właściwości elektryczne i strukturę kontaktów Al do podłoża 4H-SiC typu p.
Cytata wydawnicza: ELTE'2013. XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa.
Adres wydawniczy: Warszawa, 2013
Szczegóły: s.[1] MN/p-34
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_039538
Zasięg publikacji/pracy: K
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
Praca afiliowana przez PŁ
5/53
Nr opisu: 0000042194
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jacek Rogowski, Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Wpływ temperatury wygrzewania na właściwości elektryczne i strukturę kontaktów Al do podłoża 4H-SiC typu p.
Cytata wydawnicza: ELTE'2013. XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2013
Szczegóły: s.203-204
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_042194
Zasięg publikacji/pracy: K
Kraj: POL
Język: pol
Praca afiliowana przez PŁ
6/53
Nr opisu: 0000042113
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jacek Rogowski, Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Influence of annealing temperature on electrical parameters and structure of Al contacts on p-type 4H-SiC substrate.
Czasopismo: Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2013 Vol.8902 art. nr 89020H
Uwagi:Electron Technology Conference 2013. April 16, 2013 Ryn, Poland.
p-ISSN: 0277-786X
Uwagi wewnętrzne: DIG_042113. SPIE.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: USA
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
7/53
Nr opisu: 0000040229
Autorzy: Bartłomiej Guzowski, Grzegorz Tosik, Zbigniew Lisik, Michał Bedyk, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Optical fibers for FTTH application.
Czasopismo: Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2013 Vol.8902 art. nr 89021G
p-ISSN: 0277-786X
Uwagi wewnętrzne: DIG_040229. SPIE. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: USA
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
8/53
Nr opisu: 0000042188
Autorzy: Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak, Waldemar Maniukiewicz.
Tytuł: Zastosowanie techniki TOF-SIMS w badaniach kontaktów tytanowych na SiC o przewodnictwie typu p.
Cytata wydawnicza: XVIII Konferencja Zastosowanie Metod AAS, ICP-OES i ICP-MS w Analizie Środowiskowej.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2013
Szczegóły: s.54
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_042188
Zasięg publikacji/pracy: K
Kraj: POL
Język: pol
Praca afiliowana przez PŁ
9/53
Nr opisu: 0000038494
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jacek Rogowski, Zbigniew Lisik, Artur Kalinowski.
Tytuł: Manufacturing and characterization of Ni and Al contacts to n-type 4H silicon carbide.
Cytata wydawnicza: ISPS'12. 11th International Seminar on Power Semiconductors. Proceedings.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2012
Szczegóły: s.166-168
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_038494
Zasięg publikacji/pracy: M
Kraj: CZE
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
10/53
Nr opisu: 0000036143
Autorzy: Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Investigation of microstructure and chemical composition of Ni contacts to n-type 4H-SiC.
Czasopismo: Mater. Sci. Eng. B 2012 Vol.177 nr 15 s.1318-1322
Uwagi:Special Issue: MicroTherm2011 - Microtechnology and Thermal Problems in Electronics.
p-ISSN: 0921-5107
Uwagi wewnętrzne: DIG_036143. Elsevier. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.846
Punktacja MNiSW: 35.000
Praca afiliowana przez PŁ
Adres url:
DOI:
11/53
Nr opisu: 0000038828
Autorzy: Gesualdo Donnarumma, Vassil Palankovski, Siegfried Selberherr, Janusz Woźny, Andrzej Kubiak, Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Influence of bandgap narrowing and carrier lifetimes on the forward current-voltage characteristics of a 4H-SiC p-i-n diode.
Cytata wydawnicza: SISPAD 2012. 17th International Conference of Simulation of Semiconductor Processes and Devices. [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.], 2012
Szczegóły: s.125-128Tryb dostępu: http://in4.iue.tuwien.ac.at/pdfs/sispad2012/7-2.pdf [dostęp 28.03.2013].
Uwagi wewnętrzne: DIG_038828
Zasięg publikacji/pracy: M
Kraj: USA
Kod współpracy międzynarodowej: AUT
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
12/53
Nr opisu: 0000038489
Autorzy: Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Time-of-Flight SIMS depth profiling and imaging of the interface of Al contact to n-type 4H silicon carbide.
Czasopismo: Surf. Interface Anal. 2012 Vol.45 nr 1 s.381-385
Uwagi:Special Issue: Proceedings of the Eighteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS XVIII, Riva Del Garda, Trento, Italy, September 18 - 23, 2011.
p-ISSN: 0142-2421
Uwagi wewnętrzne: DIG_038489. Wiley.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: GBR
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.220
Punktacja MNiSW: 20.000
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
13/53
Nr opisu: 0000037807
Autorzy: Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Time-of-flight SIMS depth profiling of Na in SiO2 glass using C60 sputter ion beam.
Czasopismo: Surf. Interface Anal. 2012 Vol.45 nr 1 s.113-116
p-ISSN: 0142-2421
Uwagi wewnętrzne: DIG_037807. Wiley InterScience.Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 1
Kraj: GBR
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.220
Punktacja MNiSW: 20.000
Praca afiliowana przez PŁ
DOI:
14/53
Nr opisu: 0000031747
Autorzy: Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak, Waldemar Maniukiewicz, Marcin Kozanecki.
Tytuł: Characterization of Ni/SiC contacts interface using TOF-SIMS, XRD and Raman spectroscopy.
Cytata wydawnicza: 38th International Conference of Slovak Society of Chemical Engineering. Proceedings.
Adres wydawniczy: Bratislava, 2011
Szczegóły: s.155
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Inż. Bezp. Pr.
Uwagi wewnętrzne: DIG_031747
Półrocze: 1
Kraj: SVK
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
15/53
Nr opisu: 0000031752
Autorzy: Jacek Rogowski, Waldemar Maniukiewicz, Andrzej Kubiak.
Tytuł: TOF-SIMS, XRD and Raman microscopy investigation of Ti contact on n-type 4-H silicon carbide.
Cytata wydawnicza: 38th International Conference of Slovak Society of Chemical Engineering. Proceedings.
Adres wydawniczy: Bratislava, 2011
Szczegóły: s.156
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Inż. Bezp. Pr.
Uwagi wewnętrzne: DIG_031752
Półrocze: 1
Kraj: SVK
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
16/53
Nr opisu: 0000030856
Autorzy: Waldemar Maniukiewicz, Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Structural characterization of Ti, Ni, W and Al silicide contacts on silicon carbide.
Cytata wydawnicza: 53 Konwersatorium Krystalograficzne. Sesja Naukowa i Warsztaty PTK. Program, streszczenia komunikatów, lista uczestników i autorów prac.
Adres wydawniczy: Wrocław, 2011
Szczegóły: s.162
Lokalizacja dokumentu: Wł. dr. M. Szurgota
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
17/53
Nr opisu: 0000029941
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jacek Rogowski.
Tytuł: Boron and aluminium diffusion into 4H-SiC substrates.
Czasopismo: Mater. Sci. Eng. B 2011 Vol.176 nr 4 s.297-300
p-ISSN: 0921-5107
Uwagi wewnętrzne: DIG_029941. Elsevier. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Kraj: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.518
Punktacja MNiSW: 35.000
Praca afiliowana przez PŁ
18/53
Nr opisu: 0000033900
Autorzy: Jacek Rogowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Investigation of microstructure and chemical composition of Ni contacts to n-type 4H-SiC.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2011. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: Łódź, 2011
Szczegóły: USB s.204-209
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_033900
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
19/53
Nr opisu: 0000033899
Autorzy: Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik, Artur Kalinowski, Łukasz Ruta.
Tytuł: Silicon carbide p-i-n diode.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2011. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: Łódź, 2011
Szczegóły: USB s.179-184
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_033899
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
20/53
Nr opisu: 0000028832
Autorzy: Andrzej Kubiak, Artur Kalinowski, Zbigniew Lisik, Łukasz Ruta, Janusz Woźny.
Tytuł: Silicon carbide bipolar P-I-N diode.
Cytata wydawnicza: 5th Wide Bandgap Materials -Progress in Synthesis and Applications. 7th Diamond and Ralated Films. 2nd International Workshop on Science and Applications of Nanoscale Diamond Materials. Abstract Proceedings.
Adres wydawniczy: Warszawa, 2010
Szczegóły: s.80
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028832
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
21/53
Nr opisu: 0000028827
Autorzy: Artur Kalinowski, Andrzej Kubiak, Łukasz Ruta, Janusz Woźny.
Tytuł: Ohmic contacts to n-type and p-type 4H-SiC.
Cytata wydawnicza: ELTE 2010. 10th Electron Technology Conference ELTE and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference. Book of abstracts.
Adres wydawniczy: Wrocław, 2010
Szczegóły: s.33
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028827
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
22/53
Nr opisu: 0000028828
Autorzy: Andrzej Kubiak, Artur Kalinowski, Łukasz Ruta, Zbigniew Lisik, Janusz Woźny.
Tytuł: Technology of SiC p-i-n diode.
Cytata wydawnicza: ELTE 2010. 10th Electron Technology Conference ELTE and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference. Book of abstracts.
Adres wydawniczy: Wrocław, 2010
Szczegóły: s.26
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028828
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
23/53
Nr opisu: 0000028744
Autorzy: Janusz Woźny, Andrzej Kubiak, Artur Kalinowski, Zbigniew Lisik, Jacek Podgórski.
Tytuł: Annelaling effect on implanted silicon carbide dopants.
Cytata wydawnicza: EXMATEC 2010. 10th International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2010
Szczegóły: s.151-152
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028744
Półrocze: 1
Kraj: DEU
Język: eng
Praca afiliowana przez PŁ
24/53
Nr opisu: 0000028746
Autorzy: Andrzej Kubiak, Artur Kalinowski, Zbigniew Lisik, Łukasz Ruta, Janusz Woźny.
Tytuł: Technology of SiC P-I-N diode fabrication.
Cytata wydawnicza: EXMATEC 2010. 10th International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies.
Adres wydawniczy: [B.m.], 2010
Szczegóły: s.87-88
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028746
Półrocze: 1
Kraj: DEU
Język: eng
25/53
Nr opisu: 0000028820
Autorzy: Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik, Łukasz Ruta, Janusz Woźny.
Tytuł: Bipolarna dioda w SiC.
Cytata wydawnicza: IX Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały specjalnej sesji konferencji poświęconej Projektowi Badawczemu Zamawianemu PBZ-MEiN-6/2/2006 "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy w wysokich temperatur".
Adres wydawniczy: Warszawa, 2010
Szczegóły: s.374
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028820
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
Praca afiliowana przez PŁ
26/53
Nr opisu: 0000028725
Autorzy: Andrzej Kubiak.
Tytuł: Podstawy mikro i nanotechnologii.
Cytata wydawnicza: Mikro- i nanotechnologie. Podręcznik. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń.
Adres wydawniczy: Łódź, 2010
Szczegóły: s.29-52
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028725
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
27/53
Nr opisu: 0000028720
Autorzy: Andrzej Kubiak.
Tytuł: Podstawy mikro i nanotechnologii.
Cytata wydawnicza: Mikro- i nanotechnologie. Skrypt. Materiały dydaktyczne dla uczestników kursu dokształcającego: Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń.
Adres wydawniczy: Łódź, 2010
Szczegóły: s.25-46
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028720
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
28/53
Nr opisu: 0000027676
Autorzy: Marcin Gołąbczak, Andrzej Kubiak, Witold Szymański.
Tytuł: Polerowanie struktur półprzewodnikowych na bazie węglika krzemu.
Tytuł równoległy: Polishing of semiconductored structures made of silicon carbide.
Cytata wydawnicza: Podstawy i technika obróbki ściernej.
Adres wydawniczy: Łódź, 2010
Szczegóły: s.337-348, sum.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Bibl. Politech. Łódz.
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
Praca afiliowana przez PŁ
29/53
Nr opisu: 0000028712
Autorzy: Maciej Sibiński, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Technologie i materiały fotowoltaiczne.
Cytata wydawnicza: Technologie optoelektroniki. Podręcznik. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń.
Adres wydawniczy: Łódź, 2010
Szczegóły: s.143-167
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_028712
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
30/53
Nr opisu: 0000022722
Autorzy: Andrzej Kubiak, M. Sochacki, Zbigniew Lisik, Jan Szmidt, Alicja Konczakowska, R. Barlik.
Tytuł: Power devices in Polish National Silicon Carbide Program.
Czasopismo: Mater. Sci. Eng. B 2009 Vol.165 nr 1-2 s.18-22
p-ISSN: 0921-5107
Uwagi wewnętrzne: DIG_022722. Science Direct. Compendex. Scopus.
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 2
Kraj: CHE
Język: eng
Czasopismo umieszczone na Liście Filadelfijskiej, wskaźnik Impact Factor ISI: 1.756
Punktacja MNiSW: 27.000
31/53
Nr opisu: 0000025539
Autorzy: Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Technologie mikroelektroniczne dla mechatroniki.
Cytata wydawnicza: Mechatronika. T.1.
Adres wydawniczy: Łódź, 2009
Szczegóły: s.107-136
Lokalizacja dokumentu: 122458/s
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
32/53
Nr opisu: 0000025217
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jacek Rogowski.
Tytuł: Boron and aluminum diffusion into 4H-SiC substrates.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2009. VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.] : [B.w.], 2009
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) s.336-343
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Tech. Ciepl. i Chłod.
Uwagi wewnętrzne: DIG_025217
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
33/53
Nr opisu: 0000025223
Autorzy: Piotr Perek, Ewa Raj, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Importance of convective transport mechanism in modelling of high-temperature reactor.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2009. VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.] : [B.w.], 2009
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) s.313-318
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Tech. Ciepl. i Chłod.
Uwagi wewnętrzne: DIG_025223
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
34/53
Nr opisu: 0000018420
Autorzy: Mariusz Sochacki, Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik, Jan Szmidt.
Tytuł: Power devices in Polish National Silicon Carbide Program.
Cytata wydawnicza: EPE-PEMC 2008. 13th International Power Electronics and Motion Control Conference. [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: [B.m.], 2008
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) s.2483-2487
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Autom.
Uwagi wewnętrzne: DIG_018420. Scopus.
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
35/53
Nr opisu: 0000021257
Autorzy: Andrzej Kubiak, Artur Kalinowski.
Tytuł: Doping by high temperature diffusion processes in SiC.
Cytata wydawnicza: EXMATEC'08. 9th International Workshop Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies.
Adres wydawniczy: Łódź, 2008
Szczegóły: s.64
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_021257
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
36/53
Nr opisu: 0000021258
Autorzy: Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik, Jan Szmidt, Mariusz Sochacki.
Tytuł: National Polish Silicon Carbide Project.
Cytata wydawnicza: EXMATEC'08. 9th International Workshop Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies.
Adres wydawniczy: Łódź, 2008
Szczegóły: s.163-64
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_021258
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
37/53
Nr opisu: 0000021330
Autorzy: Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik.
Tytuł: Opracowanie technologii wytworzenia diody p-i-n w podłożu z SiC.
Cytata wydawnicza: VII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE'08. Materiały specjalnej sesji konferencji poświęconej Projektowi Badawczemu Zamawianemu PBZ-MEiN-6/2/2006 "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur".
Adres wydawniczy: Warszawa, 2008
Szczegóły: s.210-226
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_021330
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
38/53
Nr opisu: 0000021331
Autorzy: Andrzej Kubiak, Ewa Raj, Piotr Perek.
Tytuł: Termiczny model procesów w piecu wysokotemperaturowym.
Cytata wydawnicza: VII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE'08. Materiały specjalnej sesji konferencji poświęconej Projektowi Badawczemu Zamawianemu PBZ-MEiN-6/2/2006 "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur".
Adres wydawniczy: Warszawa, 2008
Szczegóły: s.279-280
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Przyrząd. Półprzew. i Optoelektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_021331
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
39/53
Nr opisu: 0000014480
Autorzy: Andrzej Kubiak, Piotr Perek, Janusz Woźny, Ewa Raj.
Tytuł: Numeryczny model reaktora dla procesów wysokotemperaturowych w SiC.
Cytata wydawnicza: Komputerowe Wspomaganie Badań Naukowych. [Materiały XIV Krajowej Konferencji KOWBAN'2007].
Adres wydawniczy: Wrocław, 2007
Szczegóły: s.165-168
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_014480
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
40/53
Nr opisu: 0000014435
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak, Artur Kalinowski.
Tytuł: Doping by high temperature diffusion processes in SiC.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2007. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics.
Adres wydawniczy: Łódź, 2007
Szczegóły: s.215-219
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_014435
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
41/53
Nr opisu: 0000014437
Autorzy: Zbigniew Lisik, Jan Szmidt, Marek Tłaczała, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Technology of P-i-N diode production on SiC substrate.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2007. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics.
Adres wydawniczy: Łódź, 2007
Szczegóły: s.247-248
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny (CD-ROM)
Uwagi wewnętrzne: DIG_014437
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
42/53
Nr opisu: 0000014457
Autorzy: Zbigniew Lisik, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Opracowanie technologii wytworzenia diody p-i-n w podłożu z SiC.
Cytata wydawnicza: Szósta Krajowa Konferencja Elektroniki. T.2
Adres wydawniczy: Koszalin, 2007
Szczegóły: s.539
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny CD-ROM
Uwagi wewnętrzne: DIG_014457
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
43/53
Nr opisu: 0000014459
Autorzy: Zbigniew Lisik, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Procesy wygrzewania wysokotemperaturowego SiC.
Cytata wydawnicza: Szósta Krajowa Konferencja Elektroniki. T.2
Adres wydawniczy: Koszalin, 2007
Szczegóły: s.567
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Toż: 1 dysk optyczny CD-ROM
Uwagi wewnętrzne: DIG_014459
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
44/53
Nr opisu: 0000009196
Autorzy: Dariusz Grzelczyk, Adam Rylski, Marcin Jachowicz, Andrzej Kubiak, Dominik Sankowski, Jacek Senkara, Wojciech Pawlak, Bogdan Wendler.
Tytuł: Nowy kompozyt metalowo-ceramiczny w układzie Ti6Al4V/TiN.
Tytuł równoległy: New metal-ceramic composite material in the sytem Ti6Al4V/TiN.
Czasopismo: IM Inż. Mater. 2006 R.27 nr 5 s.1248-1254, sum.
Uwagi:III Konferencja Naukowa "Nowoczesne Technologie w Inżynierii Powierzchni". Łódź - Spała, 3-6 października 2006.
Lokalizacja dokumentu: P-3201
p-ISSN: 0208-6247
Zasięg czasopisma: M
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
45/53
Nr opisu: 0000010391
Autorzy: Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Charakteryzacja kontaktów omowych na strukturach 4H-SiC metodami LTM i CTLM.
Cytata wydawnicza: Piąta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2006
Szczegóły: s.347-350
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_010391
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
46/53
Nr opisu: 0000005631
Autorzy: Artur Kalinowski, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak, Krzysztof Polański.
Tytuł: Procesy wyskotemperaturowe w węgliku krzemu.
Cytata wydawnicza: Czwarta Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały konferencji. T.2.
Adres wydawniczy: Koszalin, 2005
Szczegóły: s.349-353
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_005631
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: pol
47/53
Nr opisu: 0000006339
Autorzy: Mariusz Sochacki, Paweł Śniecikowski, Jan Szmidt, Paweł Śniecikowski, Andrzej Kubiak.
Tytuł: Low energy boron implantation in 4H-SiC.
Cytata wydawnicza: International Conference 4-th Nanodiamond and Related Materials jointly with 6-th Diamond and Related Films. Abstract book.
Adres wydawniczy: Łódź, 2005
Szczegóły: s.143
Lokalizacja dokumentu: 100105
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: eng
48/53
Nr opisu: 0000005670
Autorzy: Mariusz Sochacki, Jan Szmidt, Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer.
Tytuł: Liody Sottki Ni/4H-SiC s SiOxNy ohrannymi sloami.
Cytata wydawnicza: Karbid Kremnia i Rodstvennye Materialy. Sbornik Materialov V Mezdunarodnogo Seminara ISSCRM-2004.
Adres wydawniczy: Velikij Novgorod, 2005
Szczegóły: s.119-121
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_005670
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: rus
49/53
Nr opisu: 0000005669
Autorzy: Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer, Mariusz Sochacki.
Tytuł: Sravnitel'nye issledovania omiceskich kontaktov k 4H-SiC s pomosc'u TLM i STLM metodov.
Cytata wydawnicza: Karbid Kremnia i Rodstvennye Materialy. Sbornik Materialov V Mezdunarodnogo Seminara ISSCRM-2004.
Adres wydawniczy: Velikij Novgorod, 2005
Szczegóły: s.114-116
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_005669
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: rus
50/53
Nr opisu: 0000006153
Autorzy: Andrzej Kubiak, Krzysztof Polański, Jakub Kubiak, Artur Kalinowski.
Tytuł: High temperature processes in silicon carbide.
Cytata wydawnicza: MicroTherm'2005. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. [Dokument elektroniczny].
Adres wydawniczy: Łódź, 2005
Szczegóły: 1 dysk optyczny (CD-ROM) E:/pdf/SP_10.pdf s.1-5
Lokalizacja dokumentu: 99095
Półrocze: 1
Kraj: POL
Język: eng
51/53
Nr opisu: 0000005612
Autorzy: Artur Kalinowski, Andrzej Kubiak, Jakub Kubiak.
Tytuł: Procesy wysokotemperaturowe w węgliku krzemu.
Tytuł równoległy: High-temperature processes in silicon carbide.
Czasopismo: Pr. Nauk. Inst. Elektron. Politech. Łódz. 2005 nr 10 s.23-34, sum.
Lokalizacja dokumentu: P-3687
p-ISSN: brak
Uwagi wewnętrzne: ISBN 83-915220-0-8
Zasięg czasopisma: K
Półrocze: 2
Kraj: POL
Język: pol
52/53
Nr opisu: 0000001628
Autorzy: Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer, Mariusz Sochacki.
Tytuł: Characterisation of ohmic contacts to 4H-SiC structure made by linear transfer length and circular transfer length methods.
Cytata wydawnicza: ISSCRM-2004. V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. Abstracts.
Adres wydawniczy: Velikiy Novgorod, 2004
Szczegóły: s.107-108
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_001628
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: eng
53/53
Nr opisu: 0000001630
Autorzy: Mariusz Sochacki, Jan Szmidt, Andrzej Kubiak, Małgorzata Langer.
Tytuł: Ni/4H-SiC Schottky diodes with SiOxNy terminating layers.
Cytata wydawnicza: ISSCRM-2004. V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. Abstracts.
Adres wydawniczy: Velikiy Novgorod, 2004
Szczegóły: s.111-112
Lokalizacja dokumentu: Wł. Inst. Elektron.
Uwagi wewnętrzne: DIG_001630
Półrocze: 1
Kraj: RUS
Język: eng
  Wyświetl ponownie stosując format:
Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ