Bibliografia Dorobku Piśmienniczego Pracowników Politechniki Łódzkiej od 2004

1/5
Nr opisu: 0000007035
Autorzy: Jacek Tyczkowski, Piotr Kazimierski, Krzysztof Gubiec, Marcin Kozanecki, Arnoldas Uzupis.
Tytuł: Growth and characterization of germanium oxide films fabricated by plasma - assisted chemical vapor deposition.
Cytata wydawnicza: Plasma polymers and related materials. COST action 527.
Adres wydawniczy: Ankara, 2005
Szczegóły: s.91-95
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Termodyn. Proces.
Uwagi wewnętrzne: DIG_007035
Półrocze: 2
Kraj: TUR
Kod współpracy międzynarodowej: LTU
Język: eng
2/5
Nr opisu: 0000007018
Autorzy: Krzysztof Gubiec, Arnoldas Uzupis, Jacek Tyczkowski.
Tytuł: Germanium oxide thin films fabricated by plasma-assisted chemical vapor deposition.
Czasopismo: Pol. J. Appl. Chem. 2005 Vol.49 nr 1-2 s.33-39
forma: odb.
Lokalizacja dokumentu: Wł. Kat. Termod. Proces.
p-ISSN: 0867-8928
Uwagi wewnętrzne: DIG_007018
Zasięg czasopisma: K
Półrocze: 1
Kraj: POL
Kod współpracy międzynarodowej: LTU
Język: eng
3/5
Nr opisu: 0000003638
Autorzy: Arnoldas Uzupis, Krzysztof Gubiec, Jacek Tyczkowski, L. Augulis, Sigitas Tamulevicius.
Tytuł: Evolution of residual stress in (Ge_XO_Y:H) thin films deposited by plasma-assisted chemical vapor deposition.
Cytata wydawnicza: Chemia Plazmy 2004. VIII Ogólnopolskie Sympozjum Chemii Plazmy. Zbiór streszczeń.
Adres wydawniczy: Łódź, 2004
Szczegóły: s.84
Lokalizacja dokumentu: 97364
Półrocze: 1
Kraj: POL
Kod współpracy międzynarodowej: LTU
Język: eng
4/5
Nr opisu: 0000003639
Autorzy: Arnoldas Uzupis, Krzysztof Gubiec, L. Augulis, B. Vengalis, V. Lisauskas.
Tytuł: Physical properties of ITO thin films prepared by DC sputtering.
Cytata wydawnicza: Chemia Plazmy 2004. VIII Ogólnopolskie Sympozjum Chemii Plazmy. Zbiór streszczeń.
Adres wydawniczy: Łódź, 2004
Szczegóły: s.85
Lokalizacja dokumentu: 97364
Półrocze: 1
Kraj: POL
Kod współpracy międzynarodowej: LTU
Język: eng
5/5
Nr opisu: 0000003637
Autorzy: Krzysztof Gubiec, Arnoldas Uzupis, Jacek Tyczkowski.
Tytuł: Właściwości elektryczne amorficznych warstw tlenogermanowych wytwarzanych w procesie nakładania plazmowego (PCVD).
Cytata wydawnicza: Chemia Plazmy 2004. VIII Ogólnopolskie Sympozjum Chemii Plazmy. Zbiór streszczeń.
Adres wydawniczy: Łódź, 2004
Szczegóły: s.60
Lokalizacja dokumentu: 97364
Półrocze: 1
Kraj: POL
Kod współpracy międzynarodowej: LTU
Język: pol
Wyświetl ponownie stosując format:

Wyświetl/ukryj etykiety | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Nowe wyszukiwanie | Biblioteka PŁ